Μηχανή επίστρωσης Magnetron Sputtering

Η μηχανή επικάλυψης Magnetron είναι μια τεχνολογία sputtering πλάσματος που ελέγχεται από μαγνητικό πεδίο. Η αρχή λειτουργίας της μηχανής επικάλυψης με διασκορπισμό magnetron είναι η χρήση του μαγνητικού πεδίου για τον έλεγχο των φορτισμένων σωματιδίων στο πλάσμα, έτσι ώστε να παράγει πλάσμα υψηλής πυκνότητας στην επιφάνεια του στόχου, έτσι ώστε να επιτευχθεί μια αποτελεσματική διαδικασία ψεκασμού. Η μηχανή επικάλυψης με ψεκασμό Magnetron περιλαμβάνει κυρίως θάλαμο κενού, υλικό στόχο, υπόστρωμα, σύστημα μαγνητικού πεδίου, σύστημα παροχής αερίου και σύστημα τροφοδοσίας. Στη διαδικασία εκτόξευσης, ο θάλαμος κενού αρχικά αντλείται σε κατάσταση υψηλού κενού και στη συνέχεια εγχέεται ένα αδρανές αέριο (όπως αργό). Υπό τη δράση ενός ηλεκτρικού πεδίου, το αέριο αργό ιονίζεται σε ιόντα αργού και ηλεκτρόνια. Το ιόν αργού βομβαρδίζει την επιφάνεια του στόχου υπό την επιτάχυνση του ηλεκτρικού πεδίου, το οποίο κάνει τα άτομα ή τα μόρια του στόχου να διασκορπίζονται. Ταυτόχρονα, τα ηλεκτρόνια δεσμεύονται κοντά στην επιφάνεια του στόχου υπό τη δράση του μαγνητικού πεδίου, σχηματίζοντας ένα πλάσμα υψηλής-πυκνότητας, το οποίο αυξάνει τον ρυθμό εκτόξευσης. Τα διασκορπισμένα άτομα ή μόρια στόχοι εναποτίθενται στο υπόστρωμα για να σχηματίσουν ένα φιλμ. Η μηχανή επικάλυψης Magnetron μπορεί να χρησιμοποιηθεί ευρέως στη μικροηλεκτρονική, την οπτοηλεκτρονική, τη νανοτεχνολογία, τα νέα υλικά και άλλους τομείς, παρέχοντας μια αποτελεσματική και φιλική προς το περιβάλλον μέθοδο προετοιμασίας φιλμ για τη σύγχρονη βιομηχανία και την επιστημονική έρευνα.

Η μηχανή επικάλυψης Magnetron έχει μια μοναδική τεχνολογία πυρήνα, με τα ακόλουθα πλεονεκτήματα:

1. Γρήγορος ρυθμός εναπόθεσης. Η μηχανή επικάλυψης με διασκορπισμό μαγνητρόν μπορεί να αποκτήσει μεγάλη ροή ιόντων λόγω της χρήσης ηλεκτροδίου μαγνητρόν υψηλής ταχύτητας, το οποίο βελτιώνει αποτελεσματικά τον ρυθμό εναπόθεσης και τον ρυθμό διασκορπισμού κατά τη διάρκεια της διαδικασίας επίστρωσης.

2, υψηλή απόδοση ισχύος. Το μηχάνημα sputtering magnetron επιλέγει γενικά την κατάλληλη τάση για να διασφαλίσει ότι ο εξοπλισμός βρίσκεται ακριβώς εντός του υψηλότερου αποτελεσματικού εύρους απόδοσης ισχύος.

3. Χαμηλή ενέργεια εκτόξευσης. Η εφαρμογή χαμηλής τάσης μπορεί να αποτρέψει την προσβολή σωματιδίων με υψηλότερη ενέργεια στο υπόστρωμα και να αποφύγει την παραμόρφωση του υποστρώματος του προϊόντος.

4. Σύνθετο υλικό στόχου. Αρθρωτή καθολική διεπαφή, άμεσα συμβατή με διαφορετικές μορφές καθοδικών στόχων, που επιτρέπει τη λειτουργία λειτουργίας παλμού DC, IF, RF. Ισχυρή συμβατότητα.

Μεγάλη γκάμα εφαρμογών. Υπάρχουν πολλά στοιχεία που μπορούν να εναποτεθούν με τη μηχανή επικάλυψης με ψεκασμό μαγνητρόν, τα κοινά είναι: Cu, Au, Cr, Ni, Ta, TiN, TiC, TiCN, TiAlN, CrN και άλλα μεταλλικά, μη-μεμβράνες οξειδίου μετάλλων και κεραμικών και σύνθετες μεμβράνες.